据韩联社7日报道，韩国存储芯片巨头SK海力士当天召开董事会，决定投入超54万亿韩元（约合2580亿元人民币）在韩国本土建设两座存储芯片工厂，以应对人工智能时代日益增长的内存需求，提高市场竞争力。

　　其中位于龙仁的“Y2”工厂定位为DRAM生产基地，将投入35.2万亿韩元。位于清州的“M17”NAND工厂将耗资19.1万亿韩元。按计划，“Y2”工厂计划明年7月动工，并于2029年6月启用首个洁净室。“M17”工厂预计明年2月动工，并于2028年12月启用首个洁净室。

　　SK海力士认为，随着人工智能产业的快速发展，存储芯片已不再仅仅是普通元器件，而是成为决定人工智能模型性能的关键基础设施。在需求激增、供应短缺、内存价格大幅上涨的背景下，今年以来SK海力士在韩国市场上市的股票价格已上涨近120%。另一方面，市场投资者也在密切关注存储领域的供需关系是否会出现新的变化，目前市场普遍预测内存价格在2028年底前都将维持高位。