财联社9月26日讯随着“AI的风”9月再度猛吹存储芯片概念，包括“HBM三雄”SK海力士、三星、美光，以及闪迪、西数等产业链公司都迎来了新一轮斜率陡峭的上涨势头。
近几个月的快速上涨，背后是资本市场对半导体内存供需前景的重新定价。HBM芯片的强劲需求自然不必多言，近期随着eSSD（企业级固态存储）遭到超大规模云厂商集中加单的传闻，近两年投资不足的NAND市场也开始进入“量价齐升”的热炒状态。
知名投行摩根大通此前曾预期，全球存储芯片市场将在2027年前持续处于结构性增长周期，届时全球内存半导体可寻址市场（TAM）将达到3000亿美元。伴随公司盈利能力出现的结构性改善，投资者不应再拿过往的估值水平进行比较。
包括资深科技产业分析师Jay Kwon在内的摩根大通分析师也在近期的趋势展望中指出，近期大涨后，未来6-12个月存储行业风险收益结构依旧偏多。考虑到AI需求的强劲趋势，供需紧张将在2027年新建产能释放之前持续存在。
Jay Kwon等分析师的主要研判包括：
定制化HBM重塑存储角色
报告指出，定制化HBM（cHBM）正重塑存储的角色，从过去的被动元件演变为具备逻辑计算能力的主动部件。在数百颗芯片无缝连接的环境下，存储在AI基础设施中的TCO（总拥有成本）不断上升。
目前多家存储厂商已经与客户开展定制化HBM的合作。定制化HBM将集成不同功能、运算能力及逻辑die设计，例如LPDDR与HBM并行工作，在HBM堆栈中加入计算逻辑，成为性能差异化的关键。存储厂商已开始提供覆盖HBM、逻辑die、LPDDR、PIM等的全栈解决方案。
同时随着AI能耗的增加，存储厂商也开始强调HBM在节能上的价值。SK海力士预测称，HBM能效每改善10%，可带来单机架2%的节能效果，对系统级节能有重大意义。
SK海力士领跑HBM4 对手明年才能追上
摩根大通团队指出，SK海力士9月中旬宣布完成HBM4开发，并支持10Gb/s+的带宽速度，准备进入量产。该公告意味着客户样品开发已完成，预计很快将出货用于CoWoS封装与系统级测试，最终结果有望在11月出炉。
相比之下，其他竞争对手的进度可能要等到2026年一季度才能追上。
对于HBM4定价谈判而言，关键因素是SK海力士的对手们能否达到其设定的10Gb/s+标准，这一点与HBM3/3E周期类似。
分析师们指出，延后的HBM4认证周期对后端投资节奏有一定压力。但随着HBM晶圆投片增加，传统DRAM产出将被压缩。
面向未来：混合键合与边缘AI
由于芯片堆叠高度限制和能效比要求，摩根大通认为现在存储厂商正展现出更高的意愿，准备在20层HBM，甚至16层HBM4E中尝试混合键合（Hybrid Bonding）。虽然有无缝键合、良率低等技术挑战，但厂商的研发投入正在持续增长。
据三星管理层介绍称，相较传统的热压键合，混合键合能将层数堆叠能力提升33%，同时改善散热性能20%。
不过小摩特别点出，SK海力士似乎有信心使用热压键合推出16层HBM4E。
同时随着AI产业的焦点逐渐从训练转向推理应用，边缘AI也将成为存储市场的重要增量。
华邦电子的管理层预测，边缘AI硬件市场到2030年达到500亿美元，AI需求将逐渐下沉，带来对低延迟、低功耗、高带宽存储的需求，以便在智能手机、汽车、家电等终端设备上实现AI推理功能。
