当地时间9月23日美股盘后，全球存储芯片巨头美光科技公布2025财年第四财季报告。财报显示，公司第四季度营收为113.2亿美元，同比增长46%；营业利润为39.55亿美元，同比增长126.6%，均超出市场预期。

　　财报公布后，收涨逾1%的美光股价拉升，盘后一度涨超4%，最高达174.89美元/股，此后涨幅收窄到1%以内。自今年年初以来，美光股价几乎已经翻了一番。

AI需求推动存储市场继续增长

　　按照业务类型划分，美光第四财季DRAM（内存）营收为90亿美元，环比增长27%，约占总营收的79%；NAND（闪存）营收23亿美元，环比增长5%，约占总营收的20%。

　　HBM是DRAM的一种，涉及将芯片垂直堆叠以降低功耗，有助于处理大量数据，这使其在人工智能开发中极具价值。美光首席执行官Sanjay Mehrotra在财报发布后的电话会议上表示，第四季度美光的HBM收入增长至近20亿美元，这意味着该产品的年化营收接近80亿美元。他还表示：“在未来几年，预计将有数万亿美元投资于AI，其中相当大一部分将用于存储。”

　　受益于人工智能设备需求的推动，美光科技对2026财年给出了乐观展望，预计第一季度营收为125亿美元，每股收益为3.75美元。公司预计DRAM和NAND市场将继续增长，这主要由AI需求推动，资本支出预计将增加，以支持进一步扩张和技术进步。

　　美光预计，预计内存芯片的供应紧张局面将持续到明年。数据中心设备的需求持续增长，让相关企业难以满足订单需求。人工智能相关业务也推动了对NAND闪存（美光第二大产品线）等存储芯片的需求。美光透露，已就2026年大部分HBM3e型内存芯片达成价格协议，并且已经开始提供下一代芯片HBM4的样品。美光预计将通过固定合同销售这些产品，将有助于确保收入稳定。

国产存储芯片概念活跃

　　9月24日上午，A股存储芯片板块表现活跃，板块涨超5%，资金流入近120亿元。通富微电、江丰电子等涨停，江波龙、赛腾股份、德明利等跟涨。消息面上，由于供应紧张，三星对其DRAM和NAND闪存产品进行了大幅提价，部分产品提价幅度高至30%。这也使得三星成为继美光和闪迪之后，最新一家上调内存和闪存产品价格的存储巨头。

　　当前国产HBM处于发展早期，上游设备材料或迎来扩产机遇。赛腾股份表示，公司HBM检测设备已得到海外大客户的认可并已批量出货，国内市场正在积极开拓中。中微公司在先进封装领域（包含高宽带存储器HBM工艺）全面布局，包含刻蚀CVD、PVD、晶圆量检测设备等，且已经发布CCP刻蚀及TSV深硅通孔设备。

　　东方证券研报指出，AI带动的需求持续性一直是本轮DRAM涨价行情的关键支撑，叠加供应端原厂产能切换的不可逆趋势，本轮DRAM涨价行情具有较强持续性。HBM4时代，三星有望与SK海力士、美光实现 “同步布局”，原厂竞争或进一步加剧。随着原厂加大投入到HBM竞争并减少利基DRAM产能，国内利基DRAM 供应商有望获得更大市场空间。

　　业内人士表示，打破内存墙瓶颈，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力。HBM解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制等问题，已成为当下人工智能芯片的主流选择。Yole预计全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，复合年增长率达33%。